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工业陶瓷相关术语(3)

时间：2014-04-17 16:28:13 来源：龙泉青瓷网（老版本）作者：佚名

　5、工艺制造
　　 5.1　原料
　　 5.1.1　粉碎　
　　 grinding 　　用机械方法克服物料内部凝聚力，将物料颗粒尺寸减小的加工过程，可分为粗碎、中碎、细碎、超细粉碎等。
　　 5.1.2　粉磨
　　 milling 　　利用各种磨机对陶瓷物料进行粉碎的加工过程。
　　 5.1.3　球磨机
　　 ball mill 　　利用旋转简体内的磨介与物料反复撞击、研磨，将陶瓷物料粉碎或混合均匀的机械设备。
　　 5.1.4　振动磨
　　 vibration mill 　　用机械方法以1000-3000Hz的频率作振动，使磨体内磨介与物料反复撞击研磨，将陶瓷物料粉碎或混合均匀的机械设备，有单简式和多简式。
　　 5.1.5　搅拌磨
　　 attritor 　　又称砂磨机。在圆筒体内用旋转的搅拌棒或圆盘使磨介与物料高速运转相互碰撞、研磨，进行陶瓷物料粉碎或混合均匀的机械设备。
　　 5.1.6　气流磨
　　 fluid energy mill 　　利用高速气流将具有一定细度的陶瓷粉料喂入特制腔体内，使其相互间或与腔壁间进行猛烈碰撞而进行粉碎的机械装置，被粉碎物料经气流分离成所需要的细度。
　　 5.1.7　研磨介质
　　 mill medium 　　各种磨机中具有一定形状和尺寸级配，用于与被粉碎陶瓷物料撞击或研磨而使其粉碎的介质。 5.1.8　磨机内衬 mill liner 　　为防止磨体磨损和引入杂质而在各种磨机腔体内壁粘贴或镶砌的一层耐磨材料，通常采用不污染被粉碎物料的材料或有机高分子材料。
　　 5.1.9　行星研磨机
　　 planetary mill 　　由两个以上的筒体，对称于旋转主轴且平等于该主轴安装，并绕主轴作公转运动，同时又以其自身轴为中心作自转运动，使筒体内研磨介质与陶瓷物料进行撞击或研磨而将其粉碎的机械设备。
　　 5.1.10　行星振动球磨机
　　 planetary vibration ball mill 　　由两个以上筒体，对称于旋转主轴且平行于该主轴安装，并绕主轴作公转运动，同时以1000-3000Hz频率进行振动，使筒体内磨介与陶瓷物料进行撞击或研磨及混合的粉碎机械设备。
　　 5.1.11　悬浮液
　　 suspension 　　由静电稳定或位阻稳定或两者同时作用而将微细陶瓷颗粒分散于液态介质中形成的固液混合物。
　　 5.1.12　造粒
　　 granulation 　　将陶瓷细粉料加工成具有一定大小，流动性好的粒状聚集体的过程，通常有喷雾干燥造粒、预压粉碎造粒等。
　　 5.1.13　原始颗粒
　　 primary particle 　　破坏分子间作用力后仍然能按该物质结构保持为整体的最小颗粒单位，也称一次颗粒。
　　 5.1.14　团聚颗粒
　　 agglomerated particle 　　又称二次颗粒。由分子间力或其他引力作用将一个以上原始颗粒聚集在一起形成的粒状聚集体，有硬团聚和软团聚之分。
　　 5.1.15　喷雾干燥
　　 spray drying 　　在热风作用下使经高速气流雾化的陶瓷浆料脱水而干燥并获得近球形团聚颗粒的工艺过程。
　　 5.1.16　球型造粒粉末
　　 spherical granulated particle 　　由各种工艺将陶瓷细粉加工成的球形软团聚体，其流动性很好。
　　 5.1.17　包裹粉末
　　 coated ceramic powder 　　采用各种工艺在陶瓷粉末表面上包覆一层不同质或不同结构的材料所形成的粉末，通常多采用液相包裹工艺。
　　 5.1.18　喷雾热解法
　　 spray pyrolysis method 　　由金属盐溶液或其他含无机陶瓷材料的液相前驱体经雾化并在高温下热分解成陶瓷粉末体的工艺方法。常用于制备超细粉末。
　　 5.1.19　亚胺热解法
　　 imide decomposition method 　　利用金属亚胺化合物中间体作原料在高温非氧化气氛下热分解制备氮化物细粉末的工艺方法。
　　 5.1.20　化学共沉淀法
　　 chemical coprecipitation method 　　用化学方法将不同组分陶瓷材料的前驱体盐类或其化合物以溶液形式均匀混合，然后改变条件使其中各组分的离子共同沉淀，经清洗而获得成分均匀的高纯超细粉末的工艺方法。
　　 5.1.21　酸性沉淀法
　　 acid precipitation method 　　在酸性条件下进行沉淀的超细粉末制备方法。
　　 5.1.22　碱性沉淀法
　　 basic precipitation method 　　在碱性条件下进行沉淀的超细粉末制备方法。
　　 5.1.23　气相合成法
　　 vapor phase synthesis 　　以各种方法在气相状态下使两种或多种反应物反应合成超细陶瓷粉末的工艺方法。
　　 5.1.24　溶胶-凝胶法
　　 sol gel method 　　陶瓷前驱体金属化合物水解形成溶液，通过改变其条件使其形成凝胶，并采取某种方法将其干燥制成超细粉末的工艺方法。采用该工艺可以获得成分分布均匀的多组分粉末。
　　 5.1.25　加热失水沉淀法
　　 heating devatering precipitation method 　　通过加热蒸发水分以使陶瓷颗粒沉淀经清洗制备超细陶瓷粉末的工艺方法。
　　 5.1.26　液相析出法
　　 liquid precipitation method 　　采用各种方法改变条件，由液相析出超细陶瓷粉末的工艺方法。
　　 5.1.27　醇盐分解法
　　 alkoxide decomposition method 　　由金属醇盐水解制备超细粉末的工艺方法，通常先形成溶胶再改变条件形成凝胶，最后加热分解制备成粉末。
　　 5.1.28　冷冻干燥法
　　 freezing dryng 　　陶瓷浆料或陶瓷前驱体溶液或其他液相材料经冷冻、直接升华脱水干燥而制备陶瓷粉末的工艺方法，可以避免由液态脱水形成的团聚现象。
　　 5.1.29　化学气相沉积（CVD）
　　 chemical vapor deposition 　　采用各种方法由气相反应物反应并沉积形成陶瓷粉末颗粒或薄膜的工艺方法。有光致CVD法、等离子CVD法等。
　　 5.1.30　光致CVD
　　 photo induced CVD 　　在光束作用下激发气体反应物反应并沉积形成陶瓷膜或粉末的工艺方法。
　　 5.1.31　火焰CVD
　　 flame induced CVD 　　　以高温火焰激发反应物进行反应并沉积形成陶瓷薄膜或陶瓷粉末的工艺方法
　　 5.1.32　气相轴向沉积法（VAD）
　　 vapor phase axial deposition 　　以SiCl4等气体原料在氧化火焰中气相反应并在氧化物颗粒端部附着沉积生长，形成多孔基材，然后在He气氛中热处理致密化而获得透明光导纤维用玻璃基材的工艺方法。
　　 5.1.33　物理气相沉积(PVD)
　　 physical vapor deposition 　　用物理方法将原物质转移到气相中，在基材上形成覆盖膜层或于空间中形成细小颗粒的方法，主要有溅射沉积、真空沉积、离子束沉积等。
　　 5.1.34　蒸气沉积（蒸发凝聚法）
　　 vapor deposition 　　在高真空条件下将物料加热蒸发，并使其在基体上沉积凝聚形成薄膜的工艺方法。
　　 5.1.35　水热合成法
　　 hydrothermal synthesis method 　　在高温高压下的过饱和水溶液中进行的合成陶瓷材料的工艺方法。
　　 5.1.36　水热沉淀法
　　 hydrothermal precipitation 　　在高温高压下的过饱和水溶液中成核生长并沉淀形成陶瓷粉末颗粒的工艺方法。
　　 5.1.37　水热结晶法
　　 hydrothermal crystallization 　　在高温高压下的过饱和水溶液中，在籽晶上生长结晶形成陶瓷的工艺方法。
　　 5.1.38　水热分解法
　　 hydrothermal decomposition 　　在高温高压下过饱和水溶液中的成分分解析晶形成陶瓷材料的工艺方法。
　　 5.1.39　水热氧化法
　　 hydrothermal oxidation 　　在高温高压下的过饱和水溶液中的成分氧化析晶形成陶瓷颗粒的工艺方法。
　　 5.1.40　等离子体法
　　 plasma method 　　以等离体为加热手段的一种气相反应制备陶瓷粉体或薄膜的工艺方法。
　　 5.1.41　结晶提拉法
　　 crystal pulling method 　　将物质在坩埚中熔融，并将籽晶种浸入，在机械作用下回转并缓慢上拉使晶体在晶种上生长的工艺方法。
　　 5.1.42　熔融法
　　 melting method 　　利用高温将物料，在坩埚中熔融，在籽晶端部缓慢生长单晶的工艺。
　　 5.1.43　悬浮区熔法
　　 floating zone melting method 　　将拟生长单晶的多晶原料棒，垂直放入高频线圈或电阻发热元件内，加热熔化，成一层较薄的熔区。由于表面张力和重力作用，使其保持在悬浮熔化状态。在熔区下端装上籽晶，边熔化、边移动加热位置，随熔区上移，即在籽晶上生长单晶的工艺方法。
　　 5.1.44　直接合成法
　　 direct synthesis method 　　采用各种工艺利用一定原料，在一定温度气氛条件下直接合成陶瓷材料的工艺方法。
　　 5.1.45　碳还原法
　　 carbothermal reaction method 　　由金属氧化物与碳在高温一定气氛条件下反应还原并合成陶瓷材料的工艺方法，常用于合成碳化物、氮化物等材料。
　　 5.1.46　铝热还原法
　　 aluminium reduction method 　　由金属氧化物与金属铝在高温一定气氛条件下进行还原反应并合成陶瓷材料的方法。由于金属铝在此过程中被氧化，因而该工艺制备的陶瓷材料中含氧化铝成分，相似的还有镁热还原法。
　　 5.1.47　共聚合
　　 copolymeration 　　由两种或两种以上不同单体反应聚合生成共聚物的工艺过程，常被用来合成有机陶瓷前驱体聚合物。
　　 5.1.48　交联法
　　 crosslinking 　　线性高分子链之间通过支链或化学键相连接形成三维网状结构大分子的工艺方法，可被用于合成高转化率的有机陶瓷前驱体聚合物。
　　 5.1.49　热过滤
　　 thermo filtration 　　对被过滤液相进行加热以调整其某些性质而进行过滤的过程。
　　 5.1.50　真空练泥机
　　 vacuum pugging machine 　　设有真空除气装置，利用螺旋或绞刀对陶瓷泥料进行搅碎、推挤、混炼、除气并连续挤压成均匀致密的塑性泥料的设备，有立式和卧式两类。
　　 5.1.51　混合搅拌机
　　 materials mixer 　　用机械搅拌方法或压缩空气方法，把粉状物料和各种添加剂等材料进行均匀混合的设备。
　　 5.1.52　双轴搅拌机
　　 double axies mixer 　　具有平行双轴通过同向转运搅拌，使物料和添加剂进行复杂运动而进行混合的机械设备。
　　 5.1.53　螺旋浆搅拌机
　　 propeller mixer 　　通过螺旋浆转运，使物料和添加剂进行复杂运动而进行混合的机械设备。
　　 5.1.54　泥浆真空搅拌机
　　 vacuum slip mixer 　　在真空下，通过叶片随轴转动而对陶瓷浆料进行机械搅拌，使其均匀混合的设备
　　 5.1.55　压滤机
　　 filter press 　　又称榨泥机。通过机械压力使滤板滤布中的泥浆过滤、脱水，获得一定含水率的塑性泥饼的设备。
　　 5.1.56　泥浆泵
　　 slip pump 　　用于输送泥浆的机械设备，通常有柱塞泵和隔膜泵等。
　　 5.1.57　振动筛
　　 vibrating sieve 　　装有一组标准筛网在机械振动作用下对陶瓷颗粒材料进行过筛分级的机械设备，有偏心振动筛、惯性振动筛、自定中心振动筛和电磁振动筛等。
　　 5.1.58　磁选
　　 magnetic selection 　　根据非磁性原料中含铁杂质的磁化特性，通过外加磁场将被磁化的含铁杂质吸住并去除的工艺过程，可分为干法与湿法磁选两种。
　　 5.2　成型
　　 5.2.1 加压成型　
　　 pressing forming 　　使经过加工的陶瓷泥料或泥片，在模具中受压形成一定形状和尺寸的陶瓷生坯的成型过程。
　　 5.2.2　干压成型
　　 dry pressing 　　含水率小于8%的陶瓷泥料或泥片，晨模具中受压形成一定形状和尺寸的陶瓷生坯的成型过程，压制过程中，粉末颗粒之间，粉末与模具内壁之间存在摩擦，使压力损失而造成生坯的密度和强度分布不均。
　　 5.2.3　半干压成型
　　 semi-dry pressing 　　含水率为8%-12%的陶瓷泥料或泥片，在模具中受压形成一定形状和尺寸的陶瓷生坯的成型过程。
　　 5.2.4　捣打成型
　　 ramming process 　　用捣锤捣实泥料的成型方法。适用于半干泥料，并以采用风动或电动捣锤，逐层加料捣实的方式进行。采用木锤人工捣打时，所用的泥料应具有一定的可塑性，捣打法既可在模具内成形大型或特异形状的制品，也可在炉体内筑成整体结构。
　　 5.2.5　等静压成型
　　 isostatic processing 　　使陶瓷粉料在各个方向同时均匀受压的一种成型工艺。传递压力的介质若为液体，称为湿式等静压；若为气体或弹性体，称为均衡压制成型或称干式等静压。
　　 5.2.6　湿式等静压成型
　　 wet isostatic pressing processing 　　将粉料装入弹性模具中，经密封后置于高压容器内，由高压泵压入液体介质，使粉料均匀受压（一般压力为100-600MPa），最后放出液体介质减压，取出压坯的成型过程。此法能成型形状复杂，致密度高的坯体，但生产率低。
　　 5.2.7　干式等静压成型
　　 dry isostatic pressing processing 　　成型的模具是半固定式，坯料的添加和取出都是在干燥状态下操作，传递压力的介质为气体或弹性体的等静压成型，又称为均衡压制成型。
　　 5.2.8　爆炸等静压成型
　　 explosive isostatic processing 　　一种高能高速成型的方法。利用炸药的爆炸产生高压冲击波能量，传递给液体介质，加压于模体，使粉料在各向同时均匀受压。
　　 5.2.9　振动成型
　　 vibration moulding 　　利用振动器产生的振动作用，使坯体或构筑物成型的一种方法。当泥料入模后，在高频（一般为3000-12000次/min）的振动作用下，颗粒间的内摩擦力降低，并在自重和外力的作用下逐渐堆积密实形成致密的坯体或构件。主要用于生产大型的或形状复杂的构件。
　　 5.2.10　塑性成型
　　 plastic forming 　　利用泥料的可塑性将泥料塑造成各种形状的坯体的工艺过程。
　　 5.2.11　挤出成型
　　 extrusion 　　应用挤管机将塑性泥料挤成棒状、管状等长条性坯体的一种成型方法，其优点是产量大、效率高、操作简便和质量好。
　　 5.2.12　热压铸成型
　　 hot pressure casting 　　把煅烧制备的瓷粉同熔化的蜡类塑化剂迅速搅合成具有一定性能的料浆，在热压铸机中用压缩空气把热熔的料浆注满金属模，使料浆在金属模中凝固成型。该法操作简便，模具磨损小，可成型形状复杂的制品，生坯的强度高，表面光洁度好，但坯体含有机物多（10%-20%），密度低。
　　 5.2.13　注射成型
　　 injection moulding 　　陶瓷的注射成型是利用热塑性有机物低温固化、热固性有机物高温固化和水溶性有机聚合物在一定温度凝胶化的特性，将粉体与有机载体在专用的混炼设备中充分混炼，再经过造粒、成型和脱脂等工序而获得陶瓷坯体的方法。
　　 5.2.14　塑压成型
　　 plastic pressing 　　亦称塑性成型。含水率大于12%的可塑泥料或泥片加压成型。
　　 5.2.15　浇注成型
　　 slip casting 　　泥浆注入具有吸水能力的模具中而得到坯体的一种成型方法。也称为注浆成型，可分为压力注浆、流动注浆、真空注浆和电泳注浆等。
　　 5.2.16　离心注浆
　　 centrifugal casting 　　利用模具不停的旋转产生的离心力以加速坯体形成的注浆成型方法，用离心注浆形成的坯体组
　　织比较致密，颗粒排列比较均匀，可减少由注浆过程产生的制品缺陷。
　　 5.2.17　压力注浆
　　 pressure casting 　　将施有一定压力的泥料通过管道压入模具内，待坯体形成后才取消压力的一种强化注浆成型的方法。所施的压力根据产品的形状大小而异，一般在0.1-2.5MPa。压力注浆可提高坯体的密度，减少坯体的残余水分，并减少制品的缺陷。
　　 5.2.18　凝胶注模成型
　　 gelcasting 　　首先将陶瓷粉料分散于含有有机单体和交联剂的水溶液或非水溶液中，制备出低粘度且高固相体积分数的浓悬浮体（大于体积分数50%），然后加入引发剂和催化剂，将悬浮体注入非多孔的模具中，在一定的温度条件下，引发有机单体聚合，悬浮体粘度剧增，从而导致原位凝固成型，最后经过长时间的低温干燥后可得到强度很高而且可进行机加工的坯体。
　　 5.2.19　轧膜成型
　　 rolling film process 　　用一对轧辊的间隙卷入原料进行辊轧，取出薄板，然后对薄板进行冲切，即可得到所需坯体。所用的原料通常是通常粉料加上可塑性树脂与增塑剂。此法得到的陶瓷坯体密度高而且均匀，仅适合厚度在0.2mm以上的板材。
　　 5.2.20　流延成型
　　 doctor blade casting 　　将具有一定流动性的陶瓷料浆，以一定的厚度涂覆在基材薄膜上，利用其表面张力，形成光滑表面。待其干燥、固化后从基材薄膜上揭下，即成生坯带的工艺方法。该生坯带可继续加工（切片、层合和印刷等）而后烧结。
　　 5.2.21　消泡剂
　　 degassing agent 　　也称除泡剂。能通过改变气泡在介质中表面张力使气泡破裂消除的制剂。
　　 5.2.22　塑化剂
　　 plasticizing agent (plasticizar) 　　又称增塑剂。能通过吸附在瘠性物质的表面，使瘠性物质呈现塑性的制剂。
　　 5.2.23　悬浮剂
　　 suspender 　　能通过吸附在固体颗粒的表面，从而改变其表面状态，使其能在一定的介质中悬浮的制剂。
　　 5.2.24 增孔剂
　　 foamer 也称为发泡剂。能通过物理或化学变化，在固相或液相中产生气泡的制剂。
　　 5.2.25 结合剂
　　 binder 亦称粘结剂。具有良好粘结性的一类物质，在陶瓷工业中的作用主要是增加泥料的可塑性，用来改善瘠性物料的成型工艺性能。常用的粘结剂有：聚乙烯醇、聚苯乙烯、甲基纤维素和糊精等。
　　 5.2.26 滚压成型
　　 roller forming 用滚压头将可塑泥料在旋转的模型上制成坯体的成型方法。操作时，滚压头和石膏模按不同的速度同时旋转，并可按需要选择滚压头的形状，调整它的倾斜角和转速。
　　 5.2.27 印坯成型
　　 stamping 将可塑泥料放在石膏模内印成一定形状的粗坯的可塑成型方法。主要用于成型瓷板、异形瓷砖、方瓶和圆雕等。
　　 5.2.28 成纤工艺
　　 fiber forming process 指制造纤维状陶瓷的各种成型方法。目前成纤工艺方法有：拉丝或挤压拉丝法、喷吹法和离心甩丝法三种，前者适合制备连续纤维或定长纤维，后二种适合制备短纤维或棉状纤维。
　　 5.2.29 拉丝法
　　 fiber drawing process 将熔体或纺丝溶胶放入白金或其他材质的坩埚内，利用加热或其他方法，使它具有拉丝时所需的粘度。该液料从坩埚漏板上的小孔中拉出，再经高速拉伸即可获得需直径的纤维。通过调整粘度、漏板孔的直径和拉丝速度可获不同直径的纤维。
　　 5.2.30 挤压-拉丝法
　　 extrude fiber-drawing process 将纺丝溶胶放入坩埚内，并施加一定的压力，使溶胶挤过漏板上的小孔，再经高速拉伸可获所需直径的纤维。该法适合制备各种连续陶瓷纤维的前驱体纤维。
　　 5.2.31 喷吹法
　　 blowing process 将垂直流下的熔体流股，用从水平或成一定角度的喷嘴中，喷射出高速气流或过热蒸气流，使熔体分裂，牵伸成纤维的工艺方法。一般用于熔点不高的陶瓷纤维或溶胶制陶瓷纤维前驱体的制造中。适合制造各种短纤维。
　　 5.2.32 离心甩丝法
　　 centrifugal drawing process 亦称为辊离心法(multi roller centrifugal process)。采用三个或四个不同转速和直径的高速旋转辊，借其产生离心力，将落在辊外缘的熔体或溶胶逐级分离、加速甩成纤维。适合于制备短纤维。
　　 5.2.33 晶体生长法
　　 crystal growth process 将所需组分的原料熔融，再从小也上引的方法形成连续的单晶纤维或利用晶体的生长机制形成所需的单晶晶须。用此法生长的纤维强度高，但可挠性差，制造困难，价格较高。
　　 5.2.34 前驱体法
　　 precursor process 制备陶瓷纤维的主要艺方法之一。由于许多陶瓷成分的熔点高，难以用熔融法直接拉成纤维，只能采用前驱体纤维，经过加热处理后，使其转化为陶瓷体的一种工艺方法。目前以其制备前驱体的原料形式不同，可分为有机纤维浸渍法、无机盐法、溶胶-凝胶法、无机聚合物前驱体法及泥浆溶液法等。
　　 5.2.35 有机纤维浸渍法
　　 organic fiber impregnating process 前驱体法制陶瓷纤维的方法之一。以有机纤维（人工合成或天然有机纤维）作为前驱体，将它放在稀盐酸或乙二胺等溶液中浸泡、膨胀，使有机纤维的非晶态区域膨胀，再置于金属盐的水溶液中，使它进入非晶态的空穴中，经特定条件处理后，盐类分解为氧化物而获得稳定的陶瓷纤维的工艺方法。
　　 5.2.36 无机盐法
　　 inorganic salt process 前驱体法制陶瓷纤维的方法之一。将无机盐与有机聚合物混合，调配至合适粘度后，再用拉丝或喷吹工艺制成前驱体纤维，在一定的工艺条件下热处理即可制成的陶瓷纤维。
　　 5.2.37 无机聚合物前驱体法
　　 inorganic polymer precursor process 前驱体法制陶瓷纤维的方法之一。以含有陶瓷成分的无机高分子化合物为原料，制成粘度合适的纺丝溶液，用拉丝法或喷吹法成纤，在一定工艺条件下热处理后成为陶瓷纤维。
　　 5.2.38 泥浆溶液法
　　 slip solution process 前驱体法制陶瓷纤维的方法之一。将陶瓷组分的细颗粒，加入所需的化合物溶液中，制成泥浆，经干法拉丝，热处理后成为陶瓷纤维。
　　 5.2.39 化学转化法
　　 chemical converting process 制备陶瓷纤维的方法之一。以熔点较低的组分（如玻璃等），经熔化、拉丝后，再通过物理化学方法处理，使它转化成具有高温特性的陶瓷纤维。目前有二种方法：浸析法和化学反应法。
　　 5.2.40　浸析法
　　 leaching out process 　　制备陶瓷纤维的方法之一。将低熔点玻璃熔化、拉丝成纤后，通过化学浸渍方法，使低温玻纤的化学成分发生变化，即溶出低熔组分保留所需的成分，便可成为具有高熔点性能的陶瓷纤维。如石英纤维的制备。
　　 5.2.41　化学反应法
　　 chemical reacting process 　　制备陶瓷纤维的方法之一。用低熔点玻璃，经熔化－拉丝成纤后，与一定成分的气相或液相反应而转化为高熔点的陶瓷纤维。如BN纤维的制备。
　　 5.3　烧成
　　 5.3.1　烧结
　　 singtering 　　陶瓷坯体经高温加热而致密化过程和现象的总称。随着升温，坯体中具有较大表面积，较大表面能的粉粒，向降低表面能的方向变化，不断进行物质迁移，固液相间的晶体溶解或析出，晶界移动，排除气孔，产生收缩，使原来比较疏松的坯体变成具有一定强度的致密的瓷体。
　　 5.3.2　烧成
　　 firing 　　陶瓷坯体经过一定的升温制度、气氛和压力制度下，除去其中的不稳定成分，使各成分间进行反应，形成稳定的化合物，达到预定形状、结构和性能的过程。
　　 5.3.3　煅烧
　　 calcination 　　对精细陶瓷所用原料进行预先热处理的工艺过程。主要目的有：改变原料的晶体结构，去除原料中结晶水或结构水，原料的预先分解等几方面。
　　 5.3.4　预烧
　　 pre calcination 　　成型后的精细陶瓷坯体中，往往含有大量的塑化剂、粘结剂或原料中的可挥发之成分，需在烧成前进行预先热处理的过程，否则将会影响制品的烧结质量，降低产品最终性能。一般预烧温度均低于最终烧结温度。
　　 5.3.5　排塑
　　 plastics removal 　　排除坯体中含有大量的塑化剂和结合剂的工艺过程。排塑时，必须严格控制升温制度与一定的气氛条件或提供必要的吸附剂，以便熔化后的塑化剂及时吸附并蒸发至空间。
　　 5.3.6　排蜡
　　 wax removal 　　又称脱腊。排除生坯中蜡质的过程。工艺要点同5.3.5排塑。
　　 5.3.7　低温烧结
　　 low temperature firing 　　采用添加助熔剂方法，使坯体在通常烧结温度以下烧结的工艺过程。
　　 5.3.8　共价键烧结
　　 covalent bond sintering 　　具有方向性的共价键构成的陶瓷材料的烧结。如无添加剂时SiC陶瓷的烧结等。
　　 5.3.9　烧结助剂
　　 sintering aids 　　可以促进烧结的添加剂。如Al2O3陶瓷中添加MgO、SiO2、Si3N4陶瓷添加Y2O3等。
　　 5.3.10　液相烧结
　　 liquid phase sintering 　　有液相参与的烧结。通过颗粒重排，充填气孔和固相-液相间的溶解-析出过程，加速致密化。
　　 5.3.11　常压烧结
　　 pressureless sintering 亦称无压烧结。在常压下的某种气氛中进行烧结的工艺。常引入添加剂，促进烧结。该工艺简单，成本低。
　　 5.3.12 反应烧结
　　 reaction sintering 通过特定元素的配合，使加热时化学反应与烧结同时进行的烧结方法。如反应烧结的制备。
　　 5.3.13 热压烧结
　　 hot pressing sintering 将粉末或成型体置于石墨或氧化铝等耐热模型内，于加压下加热，使成型和烧结同时进行的烧结法，可加速致密化的进行。
　　 5.3.14 反应热压烧结
　　 hot pressing reacting sintering 利用高温下粉料间的化学反应热进行烧结同时加压的一种工艺方法。可获高强度致密细晶陶瓷。
　　 5.3.15 热等静压烧结
　　 hot isostatic pressing sintering 简写HIP。在等静压和热压烧结的基础上发展起来的一种新工艺，即是一种能从各向加压的热压设备。现主要有包套热等静压烧结和无包套热等静压烧结二种。
　　 5.3.16 包套热等静压烧结
　　 hot isostatic pressing sintering with encapsulation 将粉料装入包套内，移进高压容器中，在高温和均衡压力下烧结。
　　 5.3.17 无包套热等静压烧结
　　 hot isostatic pressing sintering without encapsulation 将粉料成型和预烧封孔后，在高压容器中进行烧结的工艺方法。
　　 5.3.18 封装法
　　 sealed sintering 将陶瓷坯体置于耐火密闭容器进行烧结的方法。
　　 5.3.19 埋粉法
　　 packing method 为了防止因气氛导致被处理物变质和产生缺陷，将被处理物埋于与被处理大致相同粉末中热处理的方法。
　　 5.3.20 气体压力烧结
　　 gas pressure sintering 在气氛压力通常在1-10MPa下进行烧结的方法，常用于Si3N4添加剂系统的烧结。
　　 5.3.21 气氛烧结
　　 atmosphere sintering 为了防止烧结过程中被处理物的变质和控制晶格缺陷，在特定的气氛中进行烧结的方法。
　　 5.3.22 真空烧结
　　 vacuum sintering 坯体置于真空条件下的烧结方法。它有利于坯体中气体排出，可提高陶瓷件的致密度。
　　 5.3.23 还原烧结
　　 reduction firing 在材料不发生氧化气氛中，一边控制氧分压，一边进行烧结的方法。
　　 5.3.24 自蔓燃烧结
　　 self combusion sintering 可简写为SHS。利用化合物合成时的发热反应，由构成化合物的元素的混合压块（含有以气体为反应源的物质）直接获得致密烧结体的方法。
　　 5.3.25 反应烧结重烧结
　　 reaction firing and post sintering 经反应烧结的陶瓷体，为提高其致密度和改善性能，再进行常压烧结的工艺过程。
　　 5.3.26 化学气相沉积烧结
　　 CVD sintering 将化学气相沉积在基板上的陶瓷成分经不断的分解沉积，晶粒不断长大，直至形成致密的产品结构的工艺过程。
　　 5.3.27 化学气相渗积烧结
　　 chemical vapor infiltration sintering 简称CVI。将CVD单向沉积转变为多向渗透沉积的工艺方法。多用于陶瓷基纤维复合材料的制备中。
　　 5.3.28 超高压烧结
　　 ultra high-pressure sintering 采用数万兆帕的压力下，高温烧结的一种工艺方法。如人造金刚石的合成等。
　　 5.3.29 电火花烧结
　　 electro discharge sintering 也称电活化压力烧结。它是利用粉末间火花放电，产生高温并同时施加压力的烧结方法。其特点是烧结时间短，可在几秒至几分钟内完成。
　　 5.3.30 微波烧结
　　 micro wave sintering 利用材料吸收的微波能转化为材料内部分子的动能和热能，使材料整体同时均匀加热而达到烧结制品的工艺方法。它具有加热均匀，加热和烧结速度快，降低烧结温度，节省能源和使材料晶粒细化，性能提高等优点。
　　 5.3.31 活化烧结
　　 activated sintering 或称强化烧结。其原理是在烧结前或烧结过程中，采用某些物理的或化学的方法，使反应物的原子或分子处于高能状态，利用这种高能状态的不稳定性作为强化烧结的新的驱动力。目前活化烧结的物理方法有电场烧结、磁场烧结、超声波或辐射等。活化烧结的化学方法有：氧化还原反应、分解反应和气氛烧结等。
　　 5.3.32 活化热压烧结
　　 activated hot pressing sintering 又称反应热压或分解热压。是以活化烧结为基础发展起来的一种新工艺。利用反应物在分解反应或相变时具有较高能量的活化状态下进行热处理，可以在较低温度、较小压力、较短时间内获得高致密陶瓷材料。 5.3.33 倒焰窑 down draft kiln 是一种倒焰窑式间歇窑炉。燃烧产物由燃烧室经挡火墙，喷火口喷至窑顶，然后倒向窑底加热坯体的窑炉。按形状不同可分为圆窑或方窑等。 5.3.34 梭式窑
　　 shuttle kiln 又叫往复窑、抽屉窑、活底窑，是使用窑车的倒焰或半倒焰窑。结构基本与倒焰窑相同，但以窑车代替窑底，吸火孔设于窑车底或窑墙下部，被煅烧坯体码在窑车上，推进窑内，待烧好冷却至一定将窑车从另一端（或同一端）推出。将新的一车坯体堆入窑内，制品在窑外装卸，可改善劳动条件，加快窑炉周转，且余热利用较好。
　　 5.3.35 钟罩式窑
　　 top-hat kiln 又叫高帽窑。将窑墙、窑顶做成活动的帽罩式，可以升降的一种间隙式倒焰窑。窑底固定，坯体码在窑底上，盖上帽罩，在窑墙周围不同高度设有喷嘴，加热、升温，待坯体烧结后，冷却至一定温度时即可将帽罩移至另一个窑底，加热升温。它可利用部分余热，窑内温度均匀，周期短，装出窑方便，便于机械化，劳动条件好，但对炉材要求较高。
　　 5.3.36 隧道窑
　　 tunnel kiln 形如隧道的连续性窑炉。一般由窑室、燃烧设备、通风设备和输送设备组成，按热源不同可分为火焰隧道窑、电热隧道窑；按火焰与坯体接触方式可分为明焰隧道窑、隔焰（或称马弗式）窑、半隔焰隧道窑等。
　　 5.3.37 推板窑
　　 push bat kiln 以推板作为窑内运载坯体工具的隧道式窑炉。这种窑炉多为隔焰式，截面积小且无冷空气漏入，窑内温度均匀，热耗低。
　　 5.3.38 辊道窑
　　 roller hearth kiln 又称辊底窑。以转动的辊子作为坯体运载工具的隧道式窑炉。此类窑炉截面积小，窑内温度均匀，适于快速烧成。
　　 5.3.39 步进式烧结炉
　　 walking beam kiln 由一组固定梁和一组步进移动梁作为坯体运载工具的隧道式窑炉。移动时，坯体被移动梁由下向上抬起，向窑尾方向平移一步，移动梁由上向下降落，坯体已被放在固定梁上，但已前进一步，如此反复进行。
　　 5.3.40 电阻炉
　　 electrical resistance furnace 通过电热元件（电阻），将电能转换为热能的一种加热设备。可分为卧式（箱式）、立式（井式）和管式等几种。
　　 5.3.41 热压电阻炉
　　 hot pressure electrical resistance furnace 能对烧结坯体同时加温、加压的电阻炉，可以进行热压烧结陶瓷制品。
　　 5.3.42 钼丝炉
　　 molybdenum wire furnace 以钼丝作为电热元件，将电能转化为热能加热设备。最高湿度可达1800℃以上。一般需在真空，惰性或氢气保护下进行高温加热。
　　 5.3.43 碳管炉
　　 carbon pipe furnace 以石墨管作为电热元件，将电能转换为热能的加热设备。最高使用温度可达2000℃以上。
　　 5.3.44 碳棒炉
　　 carbon rod furnace 以石墨棒作为电热元件，将电能转换为热能的加热设备。碳棒与碳管比有不易损坏和易加工等优点。
　　 5.3.45 碳化硅电阻炉
　　 SiC electrical resistance furnace 以SiC棒、管等作为电热元件，将电能转换为热能进行加热的设备。最高使用湿度在1400℃左右。
　　 5.3.46 感应炉
　　 induction furnace 利用感应线圈产生感应电流，以加热物料的一种电炉。它具有加热快、温度高，易操作控制，加热过程清洁，能保证产品质量。按感应电流频率可分为中频感应炉和高频感应炉。
　　 5.3.47 电弧炉
　　 arc furnace 利用两电极间产生的电弧来加热物料的一种电炉。可分为单相和三相两种。电弧温度最高可达4000℃。按其加热方式还可分为间接加热电弧炉、直接加热电弧炉、电弧电阻加热炉等。它具有加热快、温度高、调节控制方便等优点，但耗电多、电极损耗大、设备较复杂等缺点。
　　 5.3.48 电子轰击炉
　　 electronic impact furnace 利用加速的电子流轰击物料，使物料加热的一种电炉。其加热湿度可达3500℃，具有调节控制方便，广泛地用于单晶硅的生长及特种材料的熔炼。
　　 5.3.49 等离子加热炉
　　 plasma furnace 利用电离能来加热物料的一种电炉。其加热温度可达10000℃。一般用作金属氧化物喷涂涂层工具。
　　 5.3.50 单晶炉
　　 cystal growth furnace 由熔体生长单晶的加热和控制设备。一般由炉体、加热部分、传动部分和自动控制四部分构成。
　　 5.3.51 气氛压力烧结炉
　　 gas pressure sintering furnace 能进行气氛压力烧结的热工设备，一般压力在1-10MPa之间。
　　 5.3.52 热等静压烧结设备
　　 hot isostatic pressing sintering furnace 能进行热等静压烧结的热工设备，一般压力在100-200MPa，温度在1200-2000℃。
　　 5.3.53 窑具
　　 kilnware 窑内支撑产品的耐火器具。如棚板、支柱、托垫、匣钵等通称窑具。窑具材料必须能在反复经受高温和急冷急热的条件下使用。常见的材质有硅酸铝质（含高铝质），硅酸镁质（含堇青石-莫来石质），碳化硅质及氮化硅结合碳化硅质等。
　　
　　5.4 制品后处理

　　5.4.1 切削加工 cutting
　　狭义上讲，是指用车刀等切削工具，一切产生碎屑，一边进行加工。广义上讲，是指通过机械力的作用，破碎其局部，一边产生碎屑一边进行加工的总称。所以它包括研磨加工、研磨抛光等研磨机械加工。
　　
　　 5.4.2 研磨加工 lapping(polishing)
　　通过粘结、散布或游离磨料加工，将被加工件表面一点点研磨下去的机械加工。
　　
　　 5.4.3 机械研削加工 machine abrasive process
　　通过高速旋转的砂轮上的磨粒，对被磨削层挤压，产生磨削并完成加工的过程。
　　
　　 5.4.4 粘结磨料加工 bonded abrasive machining
　　或称固定磨料加工。将分散的磨料用粘合剂粘结在一起后，制成不同的磨具进行高效加工的过程。包括有珩磨加工、研磨加工、超细加工及砂纸（布）加工等。
　　
　　 5.4.5 散布磨料加工 loose abrasive machining
　　亦称自由磨料加工。用不固定的磨料进行切削或研磨的方法，包括研磨抛光、抛光加工、滚磨筒加工、喷射加工及超声波加工等方法之总称。
　　
　　 5.4.6 超声波加工 ultrasonic machining
　　利用超声波频率振动，通过磨料悬浮液加工硬脆材料的一种方法。
　　
　　 5.4.7 超声波抛光 ultrasonic polishing
　　利用超声波频率振动，通过含微细磨料的悬浮液加工材料表面，达到抛光的效果。
　　
　　 5.4.8 珩磨加工 hone machining
　　保持磨具与工件以一定的面接触状态，两者之间进行二维运动，达到面加工的工艺方法。
　　
　　 5.4.9 砂布（纸）加工 abrasive colth (paper) machining
　　磨料粘附在布或纸上与陶瓷体进行不同状况的接触，达到加工表面的工艺方法。
　　
　　 5.4.10 粘弹性流动加工 viscous elastic flow machining
　　用含有磨料的半流动状态粘性介质，沿着工件表面加压流动，进行表面加工的工艺方法。
　　
　　 5.4.11 喷砂加工 sand-blast machining
　　亦称喷射加工。将微细磨料与压缩空气一起，从喷嘴中高速喷出，使它与加工表面接触，利用磨料的冲击力和磨削力对表面进行加工的一种方法。
　　
　　 5.4.12 激光束加工 laser beam machining
　　将104-106W/cm3以上功率密度的激光束照射被加工物表面，将材料表面部分蒸发，除去的加工方法。
　　
　　 5.4.13 等离子加工 plasma machining
　　利用高温等离子体的高速射流，对材料熔化，去除或改性的加工工艺方法。
　　
　　 5.4.14 电子束加工 electron beam machining
　　在真空条件下，利用聚焦后能量密度极高(106-109W/m2)的电子束，以极高的速度冲击到工件表面极小的面积上，在极短的时间（几分之一微秒）内，其能量大部分转化为热能，使被冲击的材料达数千度以上高温，从而使材料局部熔化或气化的加工工艺方法。
　　
　　 5.4.15 电火花加工 electric discharge machining
　　利用直流电源，对能导电的陶瓷材料产生脉冲放电而进行材料加工的一种工艺方法。
　　
　　 5.4.16 机械化学抛光 machano chemical polishing
　　在机械作用下，含有磨料的加工液与工件产生化学反应，同时进行研磨，达到加工表面的工艺方法。
　　
　　 5.4.17 化学研磨 chemical lapping
　　利用磨粒的力学研磨与产生化学反应的研磨相结合的加工工艺。
　　
　　 5.4.18 电解研磨 electrolysis lapping
　　利用磨料的力学研磨与加工体产生电解反应同时进行的一种加工工艺。
　　
　　 5.4.19 蚀刻研磨 acid etching lapping
　　采用磨料的力学研磨与工件的腐蚀反应同时进行的一种加工工艺。
　　
　　 5.4.20 电气机械磨削加工 electro mechanical grinding machining
　　简称EMG加工法，将电解磨削和机械磨削两种功能复合磨削的加工工艺方法，可以减少加在工件上的应力，适合于脆性材料加工。
　　
　　 5.4.21 机械电解电火花磨削复合加工法 mechanical electroysis-electro discharge system machining
　　简称MEEC加工法。将通电部分设计成辐射状的砂轮或特殊的导电整体型砂轮，采用一般直流加工电源或特殊电源，进行电解加工和电火花加工，再加上机械磨削加工的复合型加工工艺方法。
　　
　　 5.4.22 粗化处理 rough process
　　使净化后的基体表面，形成凹凸不平的粗糙表面的工艺。
　　
　　 5.4.23 喷砂粗化 sand-blasting roughen
　　利用压缩空气的气流或离心力为动力，将硬质磨料高速喷射到基体表面，通过磨料对基体表面冲刷而达到粗化目的加工工艺方法。
　　
　　 5.4.24 机械加工粗化 machining roughen
　　采用机械切削，滚压等方法，对工件表面进行粗化处理之方法。
　　
　　 5.4.25 精密清洗 precision cleaning
　　除去附着在被加工物表面微粒和其他有机质等，而获得高洁净的表面处理方法。
　　
　　 5.4.26 超声波清洗 ultra sonic cleaning
　　利用超声波原理，对工件表面进行清洗的工艺。比较适合于形状复杂、尺寸精度很高的工件清洗及缝隙中的污垢或油脂去除等。
　　
　　 5.4.27 有机溶剂清洗 organic solvent cleaning
　　利用有机溶剂如汽油、丙酮、酒清、三氯乙烯或四氯化碳等，清洗工件表面的工艺方法。
　　
　　 5.4.28 碱液清洗 alkaline liquid cleaning
　　利用碱液清洗工件表面的工艺。此法成本低，非常适合大批量零件的清洗。
　　
　　 5.4.29 加热除油 heating degreasing
　　将处理工件在250-400℃温度下进行加热处理，烧掉微孔中的油污的工艺方法。
　　
　　 5.4.30 磨石表面修整 truing
　　安装在加工机上的磨石，通过磨石作用面磨石旋转轴的振动或磨耗产生磨石气孔堵塞和尺寸公差偏移，磨石表面修整即指为此对磨石形状和表面形态进行的修整。
　　
　　 5.4.31 修饰 dressing
　　指将经过表面修整的磨石或研磨能力差的磨石，在不损伤磨料的前提下仅将结合材料除去，以使加工所必须的磨料利刃突出出来，以提高研磨能力所进行的操作。
　　
　　 5.4.32 加工变质层 affected layer
　　指陶瓷表面层，由于加工时热、压力或气氛的影响，使它的组织、晶体结构、机械与电气性能发生变化而形成的与内部不同的物质或性质的表面层。
　　
　　 5.4.33 加工型变 machining modification
　　由于加工时热、压力等因素影响，而发生组织结构、结晶相的转变，如相转变、马氏体相变、非晶质化等。
　　
　　 5.4.34 极化处理 poling process
　　为了使随意烧结后的压电陶瓷的极性方向一致，对陶瓷施加2-3倍的矫顽电场的电场处理工艺。现有室温处理、居里点以上加热处理、油中加热处理、老化处理等方法。
　　
　　 5.4.35 中子射线处理 neutron irradiation process
　　用中子射线照射，将各种晶格缺陷引入材料中，造成材料损伤以达到控制材料特性的方法。

　　5.5 焊接（封接）与粘接

　　5.5.1 陶瓷焊接 ceramic bonding
　　采用不同方法将陶瓷与金属或陶瓷与陶瓷连接在一起的技术，又称陶瓷的封接。
　　
　　 5.5.2 固相连接 solid state bonding
　　在不存在液相情况下进行的固体间的接合。包括扩散焊、反应焊、磨擦焊
　　
　　 5.5.3 扩散焊接 diffusion bonding
　　利用扩散现象实现固体间连接的焊接方法。
　　
　　 5.5.4 加压焊接 pressure bonding
　　通过加压使陶瓷相互或与金属焊接在一起的方法。接合形式可以是基体间直接结合或添加中间层。
　　
　　 5.5.5 磨擦焊接 friction bonding
　　利用焊件接触面相互磨擦而产生的热量，使端部达到一定温度后迅速加压来实现焊接的一种压焊方法。
　　
　　 5.5.6 热胀结合 thermal insert
　　利用热膨胀和收缩实现两物体的接合的方法。一般是加热外侧的物体使其内径增大，然后在常温下收缩使其与内部物体接合。
　　
　　 5.5.7 玻璃封接 glass sealing
　　利用封接玻璃来进行玻璃、陶瓷及金属间的气密封装。
　　
　　 5.5.8 氧化物焊接 oxide soldering
　　利用氧化物焊接进行玻璃、陶瓷以及金属间连接的方法。氧化物焊料包括从熔点为300℃PbO的系到2000℃的Al2O3、CaO、MgO、Y2O3系。
　　
　　 5.5.9 激光焊接法 laser bonding
　　以光受激辐射放大后形成的激光束为能源的一种焊接方法。可用于高熔点金属、陶瓷、有机玻璃等的焊接。
　　
　　 5.5.10 活性金属电镀浸锡焊接 active metal electrodepositon tin dip bonding
　　将被银陶瓷件用电镀工艺镀一层活性金属后，浸入熔融锡液形成锡层，再进行焊接的方法。
　　
　　 5.5.11 烧结金属粉末焊接 metal powder sintering bonding
　　在高温还原气氛中，使金属粉末在陶瓷表面烧结成金属薄膜，然后再进行焊接的方法。
　　
　　 5.5.12 金属化 metallize
　　在陶瓷表面通过烧渗法、化学镀法或真空蒸发法等形成金属层的工艺。
　　
　　 5.5.13 高熔点金属糊金属化 metallizing with high melting metal paste
　　以高熔点金属（Mo、W等）为主成分的厚膜浆料使陶瓷表面金属化的方法。
　　
　　 5.5.14 钼锰法 Mo-Mn metallizing
　　将钼锰膏[（Mo约80%）-Mn（约20%）]涂于陶瓷表面，在N2、H2、H2O的混合气体中经1300-1700℃高温烧结，在陶瓷表面产生一层钼锰金属薄膜的方法。
　　
　　 5.5.15 被银法 silver firing
　　把以银为主成分的厚膜浆料涂覆在陶瓷表面，利用其中无机成分（银、玻璃等）烧结和熔融，使陶瓷表面形成银层的工艺。
　　
　　 5.5.16 涂层 coating
　　通过涂覆、等离子喷涂、CVD法、蒸镀、溅射等方法在物体表面形成异种物质薄膜，使其机械、化学性能发生改变的方法。
　　
　　 5.5.17 热喷涂 thermal spraying
　　加热棒状、粉状金属或无机非金属材料，然后将熔融状态下的微粒子雾化并喷射到工作表面形成涂层的表面技术，可用于氧化物陶瓷涂层和碳化钨涂层等。
　　
　　 5.5.18 等离子喷涂 plasma spraying
　　以高温高速等离子射流熔化和雾化物料并使其高速喷射到工件表面上形成涂层的表面技术。
　　
　　 5.5.19 火焰喷涂 flame spraying
　　以可燃气体燃烧的火焰为热源的热喷涂方法。
　　
　　 5.5.20 离子镀膜 ion plating
　　利用气体放电等离子体，使气相组元电离，并在离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基片上形成镀层的技术。
　　
　　 5.5.21 离子注入 ion implantation
　　在真空中离子化所需要的气体或固体蒸气，并用电场加速离子束注入中心固体材料，形成一定深度的离子注入层以改变材料表面的结构和组分，达到改善材料机械和物理化学性能的一种表面改性的工艺。
　　
　　 5.5.22 覆盖涂层 cover coat
　　为防止陶瓷基板上功能元件性能的恶化，采用印刷、浸渍等工艺在陶瓷基板上被覆一层致密的陶瓷或树脂层。
　　
　　 5.5.23 丝网印 silk screen printing
　　又称筛印。是在经感光腐蚀制成的各种图案的丝网上，涂以各种浆料，套印在陶瓷坯体上的一种工艺技术。
　　
　　 5.5.24 厚膜印刷 thick film printing
　　把厚膜浆料用丝网印刷法在素坯或烧结后的陶瓷基片上形成印刷电路的方法。
　　
　　 5.5.25 印刷积层 printing lamination
　　在基板上用丝网印刷法多次交替印刷不同性质厚膜浆料形成的叠层厚膜电路。

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